IDT晶振,差分输出晶振,8N4S270晶振
频率:15.476MHz~1300.000MHz
尺寸:7.0*5.0*1.5mm
IDT以其智能传感器和行业领先的时间组合来处理汽车应用。IDT在德国的全资子公司- IDT欧洲有限公司(前身为ZMD AG)运营其卓越的汽车中心。IDT是为4G、5G和云计算等无线基础设施应用而设计的高性能的领先创新者。解决方案包括行业领先的射频信号链产品,串行RapidIO®,和先进的时机。
IDT积极提高贴片晶振产品和包装,以产生最快、最可靠的设备。然而,由于产品性能往往受到其实现的影响,因此建议仔细考虑影响设备运行温度的因素,以达到最好的效果。IDT的集成电路用于世界各地的通信、计算和消费行业。IDT总部位于加州圣何塞市,在世界各地都设有设计、运营和销售设施。LVDS输出晶体振荡器,7.0*5.0mm进口差分晶振,8N4S270晶振
IDT晶振,差分输出晶振,8N4S270晶振.是具有非常灵活的频率编程功能的出厂频率可编程晶体振荡器。该器件采用IDT的第四代FemtoClock®NG技术,以实现高时钟频率和低相位噪声性能。该器件采用2.5V或3.3V电源供电,采用小型,无铅(RoHS 6)6引脚陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封装封装。
该器件可以在工厂编程为15.476MHz至866.67MHz和975MHz至1,300MHz的范围内,并且支持非常高的218Hz或更高的频率精度。扩展的温度范围支持无线基础设施,电信和网络终端设备要求。
IDT晶振 |
标示 |
8N4S270晶振 |
晶振基本信息对照表 |
标准范围 |
f0 |
15.476MHz~1300.000MHz |
|
電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+2.8V、+3.3V |
|
输出电流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
频率负载 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS 出力 |
标准频率偏差 |
f_tol |
±10×10-6 max.
|
初期偏差、 |
输出电压 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
|
对称 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
标准时间 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。IDT晶振,差分输出晶振,8N4S270晶振
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用差分晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致LVDS晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。LVDS输出晶体振荡器,7.0*5.0mm进口差分晶振,8N4S270晶振
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能差分晶体振荡器导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。LVDS输出晶体振荡器,7.0*5.0mm进口差分晶振,8N4S270晶振
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加六脚差分晶体振荡器振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致差分贴片晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。IDT晶振,差分输出晶振,8N4S270晶振
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人:茹红青
手机:13510569637
电话:0755-27837162
QQ号:657116624
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