全球咨询热线 : 0755-27837162

首页 微晶晶振

微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振

微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振

产品简介

小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

产品详情

WJ-1

微晶在瑞士、泰国建有生产中心,及遍布世界各地的代表处。我们所有的产品都得到ISO9001和ISO14001的认证,并达到RoHS,REACh等规范的要求。微晶玻璃(MC)的管理、环境与社会责任原则执行(MES)大纲标准,以确保MC设备的工作条件,以及供应链合作伙伴的活动支持MC的要求,是安全的,工人是尊重和尊严对待,以及制造过程使用MC和它的作伙伴对环境负责。
而今,微晶晶振已经发展成为一家在微型音叉式石英晶体(32kHz ~ 250MHz)、实时时钟模块、晶振和OCXO等多个领域的领导供货商,通过不断改进技术,过程、产品、服务、质量、环境保护、安全和安全方面,微晶也将保持其在未来的市场地位。
JLX-1

WJ-2

微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振.5.0*1.9mm超小型表面贴片型SMD晶振,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准,焊接方面支持表面贴装.
微晶石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。

JLX-2

RB-2

微晶晶振

单位

CC4V-T1A晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

30.000KHZ~1000.000KHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C+125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C+85°C

标准温度

激励功率

DL

1.0μW Max.

推荐:1μW100μW

频率公差

f_— l

±20 × 10-6(标准)

+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±100 × 10-6/-20°C+70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

6.0PF~12.5PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

CC4V-T1A 5019

JLX-4

RB-4

机械振动的影响
当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管石英晶体谐振器产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。
PCB设计指导
(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于音叉晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。
(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。
(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。
(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。
存储事项
(1)在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存进口贴片晶振产品时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振
正常温度和湿度:
温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。
(2)请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

JLX-5


RB-5设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明微晶贴片晶振振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振

sjzrhl_1

2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加陶瓷面两脚晶振振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

sjzrhl_2

3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致5019mm压电石英晶体振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。

sjzrhl_3

频率和负载电容特征图器

sjzrhl_4

振荡回路参数设置参考

返回头部