进口SMD石英晶体,大型8038无源晶振,IL3M晶振

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ILSI晶振,贴片晶振,IL3M晶振,进口石英晶振

频率：32.768KHZ

尺寸：8.0*3.8mm

贴片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.

订购热线：0755-27837162

2013年，ILSI收购了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收购使我们现有的32.768K系列频率控制打印位置和活跃的客户群翻了一番。ILSI收购MMD的行为不会中断我们的客户供应链。ILSI现在在加利福尼亚州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的销售水平显着提高，因此2013年需要开设两个新的区域销售办事处，负责处理洛杉矶，加利福尼亚州，加利福尼亚州奥兰治县和加利福尼亚州圣地亚哥的地区。
ILSI和MMD Monitor / Quartztek品牌作为ILSI-MMD Inc.基础设施下的品牌实体进行了积极的营销和销售。通过无源晶振增长和收购带来的销量增加需要重新调整我们的销售渠道，以更好地管理我们的全球客户群。ILSI-MMD Inc.销售渠道由全球24个地区代表组成，覆盖50个美国，加拿大西部和东部，墨西哥，亚洲，英国，波兰，德国，法国，意大利，奥地利和南美洲中的45个。销售渠道还受到由多国一级分销商，地区分销，美国分类目录和欧洲分类目录组成的分销基础设施的支持; 共有8家专营分销渠道合作伙伴。进口SMD石英晶体,大型8038无源晶振,IL3M晶振

ILSI晶振,贴片晶振,IL3M晶振,进口石英晶振,小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。进口SMD石英晶体,大型8038无源晶振,IL3M晶振

ILSI晶振晶振	单位	IL3M晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C~+85°C	标准温度
激励功率	DL	1μW Max.	推荐:1μW
频率公差	f_— l	±20× 10-6	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	-0.034× 10-6/-30°C~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12.5PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

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一般来说，微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：镉和CG是外部负载电容，其中已建成的芯片组。（请参阅芯片组的规格）Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻,贴片石英晶体的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路，但仅用于具有高电源电路。ILSI晶振,贴片晶振,IL3M晶振,进口石英晶振

一个稳定的振荡电路需要的负电阻，其值应是无源石英晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如，为了获得稳定的振荡电路中，IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下，例如老化，热变化，电压变化，以及等等，电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此，这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：

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线路连接的电阻（R）与晶体串联（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。（3）振荡期间测量R的值。（4）你将能够获得负电阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所连接的电路的杂散电容，可能会影响测定值。如果小型贴片晶振的参数是正常的，但它不工作稳步振荡电路中，我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话，我们有三种方法来改善这样的情况：降低外部电容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）。采用具有较低电阻（RR）的晶振。使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。进口SMD石英晶体,大型8038无源晶振,IL3M晶振

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振荡补偿:除非在32.768K常规频点晶体振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。ILSI晶振,贴片晶振,IL3M晶振,进口石英晶振

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测试条件:(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量8038贴片晶振频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.

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晶体谐振腔的形式模式，但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在32.768K低频石英晶振基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值（RD）取决于8038晶体谐振器的类型，频带和设备的价值。电容器（C1，C2）。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的（包括负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。进口SMD石英晶体,大型8038无源晶振,IL3M晶振

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