ILSI晶振,贴片晶振,HC49USM晶振,石英晶振
频率:3.2~100MHZ
尺寸:13.3*4.7mm
ILSI America成立于1987年,总部位于加州科斯塔梅萨。当时的商业模式很简单,成为石英晶体和时钟振荡器的供应商,以支持北美频率控制市场,在随后的29年中,随着全球频率控制产品市场需求呈指数级增长和全球化,ILSI通过有机增长和收购应对不断变化的市场和客户群。
1995年,ILSI北京中国办事处开业。1998年,ILSI晶振美国公司搬迁到它现在的位置,这是一个位于内华达州里诺的10,000平方英尺的世界总部。1999年,ILSI香港中海物流中心开业。2007年ILSI韩国办事处的开业完成了我们在美国和亚洲提供真正实体店的目标,这些实体由直接员工提供,以支持我们在北美,墨西哥,亚洲和欧洲快速增长的客户群。椭圆型石英谐振器,进口无源49SMD晶体,HC49USM晶振
ILSI晶振,贴片晶振,HC49USM晶振,石英晶振,普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英晶振的研磨技术:通过对晶振切割整形后的晶片进行研磨,使石英晶振的晶片达到(厚度/频率)的一定范围。石英晶振晶片厚度与频率的关系为:在压电晶体行业,生产晶振频率的高低是显示鸿星技术水平的一个方面,通过理论与实际相结合,累积多年的晶振研磨经验,通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术,注重贴片晶振研磨过程的各种细节,注重晶振所用精磨研磨设备的选择;椭圆型石英谐振器,进口无源49SMD晶体,HC49USM晶振
ILSI晶振 |
单位 |
HC49USM晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
3.2~100MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-0°C~+70°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
50μW Max. |
推荐:100μW |
频率公差 |
f_— l |
±30× 10-6 |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-30°C~+85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
18PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性:将进口无源晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。ILSI晶振,贴片晶振,HC49USM晶振,石英晶振
所有金属石英晶振和实时时钟模块都以IC形式提供。噪音:在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。电源线路:电源的线路阻抗应尽可能低。输出负载:建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间)。音叉型晶体谐振器,2012无源音叉晶振,TF20晶振
未用输入终端的处理:未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。热影响:重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英SMD晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。安装方向:振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。通电:不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。椭圆型石英谐振器,进口无源49SMD晶体,HC49USM晶振
晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在49S大型两脚谐振器基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。ILSI晶振,贴片晶振,HC49USM晶振,石英晶振
适当的控制电阻值(RD)取决于的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过49SMD石英晶体测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致无源金属壳普通贴片晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量椭圆形扁壳贴片晶振频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).椭圆型石英谐振器,进口无源49SMD晶体,HC49USM晶振
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
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