SIWARD在音叉晶振方面具有极强的竞争力
希华晶振提供一系列 32.768 kHz 音叉晶体,採用最先进光刻制程技术,来实现卓越的稳定性和信赖性。音叉型晶体具备低功耗特性 0.1 µW 及微型设计,最小尺寸至1.6 x 1.0mm,适合应用在穿戴式装置、物联网装置、无线通讯、消费性电子产品、笔记型电脑、智慧电錶、安全系统和个人医疗设备。32.768 kHz 音叉型晶体系列包括 XTL72 (3.2 x 1.5 mm)、微型 XTL74 (2.0 x 1.2 mm) 和超微型 XTL75 (1.6 x 1.0 mm),支援 ±20ppm 的标准频率容差,并提供多种负载电容选项,包括 12.5pF、9pF、7pF 等,一般工作温度范围为 -40°C 至 85°C, AEC-Q200 标准的汽车和工业应用可扩展至 -40°C 至 125°C。
整合上下游,开发到生产,自给自足.希华在光蚀刻制程技术上的创新与突破,结合台湾唯一拥有上游长晶技术,整合上下游资源的能力,使音叉型晶体从开发到生产自己自足,不需外求,更加提升希华音叉晶体的竞争优势。主要生产尺寸,从 3.2 x 1.5 mm到小型化 2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm 皆可量产。
设立专线
于台南有专属音叉型晶体生产高度自动化工厂,设立专线以确保产品品质,达到最高要求。
音叉晶片能力
创新性
音叉产品是一种非常讲求尺寸精度的产品,故在生产过程中如何控制产品尺寸非常重要的课题,目前市场上的产品还并不多,毕竟小型化技术是相当困难。希华采用最先进光蚀刻制程技术,使小型化产品能有更稳定的生产条件,不但缩短了生产时间,并大大提升了电性能力,在生产的良率上以及客户的信赖性上,都有非常大的突破。
可行性与商业性
市面上的音叉型石英晶振种类繁多,需求最大量的产品外观为3.2 x 1.5 mm,但对应市场上2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm正崛起的情况之下,在产能提升状态下首当其冲的就是成本问题,希华有着领先的光蚀刻制程技术,能快速对应不同尺寸产品因应各种需求。加上良率的提升,以最低成本作出最大产能,不仅仅能在市场上占有一席之地,还具有非常大的竞争力。
整合上下游,开发到生产,自给自足.希华在光蚀刻制程技术上的创新与突破,结合台湾唯一拥有上游长晶技术,整合上下游资源的能力,使音叉型晶体从开发到生产自己自足,不需外求,更加提升希华音叉晶体的竞争优势。主要生产尺寸,从 3.2 x 1.5 mm到小型化 2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm 皆可量产。
流程分工图
音叉晶体生产流程,从南科的晶棒生产、 切割、 研磨成wafer原材,配合光蚀刻制程生产技术, 制作成音叉型晶体 wafer,最后于南科专线生产,产能自己自足不需外求,不仅确保高品质水晶晶棒之供应,也能充分掌握产能及交货期。各种尺寸与设计能力
从大尺寸3.2 x 1.5晶振到小尺寸2.0 x 1.2晶振 & 1.6 x 1.0晶振皆可量产,具备晶片设计能力,因应各种不同领域应用与客户需求。设立专线
于台南有专属音叉型晶体生产高度自动化工厂,设立专线以确保产品品质,达到最高要求。
音叉晶片能力
技术层次
高精度产品的微机电技术,最重要的是产品尺寸精细度要求。利用微机电技术都能掌握至2um以内,比起传统加工方式更为稳定,良率也较高。创新性
音叉产品是一种非常讲求尺寸精度的产品,故在生产过程中如何控制产品尺寸非常重要的课题,目前市场上的产品还并不多,毕竟小型化技术是相当困难。希华采用最先进光蚀刻制程技术,使小型化产品能有更稳定的生产条件,不但缩短了生产时间,并大大提升了电性能力,在生产的良率上以及客户的信赖性上,都有非常大的突破。
可行性与商业性
市面上的音叉型石英晶振种类繁多,需求最大量的产品外观为3.2 x 1.5 mm,但对应市场上2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm正崛起的情况之下,在产能提升状态下首当其冲的就是成本问题,希华有着领先的光蚀刻制程技术,能快速对应不同尺寸产品因应各种需求。加上良率的提升,以最低成本作出最大产能,不仅仅能在市场上占有一席之地,还具有非常大的竞争力。