您好,欢迎踏入金洛鑫电子有限公司

金洛鑫公众号 金洛鑫公众号 | 关于金洛鑫| 添加收藏| 网站地图| 会员登录| 会员注册

热门关键词 : 声表面滤波器陶瓷谐振器热敏晶体热敏晶振嘉硕晶振大河晶振亚陶晶振加高晶振TCXO晶振雾化片

当前位置首页 » 技术支持 » MCU与IOT方案应用晶振的封装参数选型和特殊要求

MCU与IOT方案应用晶振的封装参数选型和特殊要求

返回列表 来源:金洛鑫 浏览:- 发布日期:2019-12-31 10:56:15【
分享到:

MCUIOT方案应用晶振的封装参数选型和特殊要求

MCU微处理器和IOT物联网都是时下热门的产业,而且具有比较长久的发展时间和历程,都属于中高端以上的产品,因此它们的设计方案和采用的电子元器件,要求都比较高.常规普通的石英晶振一般厂家很少会考虑使用,虽然成本相对比较低,但在在性能和稳定性上可能支持不了.MCU模块应用的晶体和振荡器技术要求没那么高,但需要稳定性较高的,使用日本或美国进口的石英晶体就足够了,例如常规的3225晶振,2520晶振,2016晶振等,尺寸不一定要用极小的,但为了节省空间和提高性能,通常不会采用较大体积的.

物联网的发展趋势导致了对16位和32位单片机的需求增加,也增加了对单片机系统时钟的需求.早期的8位微控制器需要简单的输入/输出接口,因此只有一套高频(MHz)石英晶体可以提供微控制器所需的系统时钟,但如今的16位和32位微控制器物联网应用,由于需要更多的输入/输出和传输接口以及时序要求,高低频石英晶体谐振器(MHz&KHz)被用来满足系统时钟的要求.

A.MHz石英晶体的电路图设计和电容匹配;

EX.:在射频2.4G应用中,晶体的公共频率为16MHz12pF10ppm.

根据设计公式:12pf=((cl1*Cl2)/(cl1+Cl2))+cs+Ci(csPCBA的杂散电容,ciMCU的结电容)一般来说,cs+ci=3pF,所以12-3=9pF,导入公式:cl1=Cl2=18pf((18*18)/(18+18))+3pf=12pf.射频是内置反馈电阻,在兆赫晶体电路中为1ω.如果微控制器不是内置的,可以添加它.REXT是一个限流电阻,通常不增加. 

MCU与IOT方案应用晶振的封装参数选型和特殊要求

B.千赫石英晶体的电路图设计和电容匹配;

EX.:当应用于RTC和基带时,石英晶体常用频率为32.768K,CL=12.5pF,稳定性=20ppm.

根据设计公式:12.5pf=((cl1*Cl2)/(cl1+Cl2))+cs+Ci(csPCBA的杂散电容,ciMCU的结电容)一般来说,cs+ci=3pF,所以13-3=10pF,导入公式:cl1=Cl2=20pf((20*20)/(20+20))+3pf=13pf.射频是一个内置反馈电阻,在千赫晶体电路中为10ω.如果微控制器不是内置的,可以添加它.它通常是内置的. 

MCU与IOT方案应用晶振的封装参数选型和特殊要求

C.负阻抗|R|和振荡裕量:

通常,在设计振荡电路时,另一个重要参数常常被忽略,即负阻抗. 

MCU与IOT方案应用晶振的封装参数选型和特殊要求

电阻测试方法如上所示:

将一个可变电阻连接到晶体电路,调节可变电阻,直到晶体没有输出频率,并取下可变电阻,然后测量可变电阻电阻值.该值是振荡电路中的-R.

-电阻值应为≧5~10)*最大等效串联电阻.(其中电子自旋共振是贴片晶振的等效电阻).-R小于3倍时,很容易由于石英晶体的振荡裕度(振荡裕度)不足,出现停止振荡或振荡不稳定、振荡启动时间延长等问题.

D.印刷电路板布局设计说明:

D-1.以下推荐布局适用于3215系列爱普生晶体(3.2*1.5mm2个焊盘、32.768千赫smd晶体). 

MCU与IOT方案应用晶振的封装参数选型和特殊要求

D-2.石英晶体的印刷电路板布局设计和一般考虑:

1. 印刷电路板布局应尽可能短,集成电路与晶体之间的距离应小于10~15mm

2. 试着把GND层放在水晶下面.

3. 在晶体下面,除了振荡电路之外没有灵敏的信号线.

4. 晶体不应该尽可能地放置在印刷电路板的边缘,以避免由于印刷电路板掉落而损坏石英晶片,并且可以布置好GND.

5. 石英晶体/石英晶体振荡器是一种热敏特性与电阻/电阻/电容不同的元件,不要将其放置在PCBA或器件的热源附近.

6. 金属罐晶体(49系列和圆筒DT-26DT-38系列)不允许直接焊接晶体体(接地),这很容易导致温度过高,并因晶体内部去焊而损坏.

E.金洛鑫电子向物联网微处理器推荐晶体/振荡器

E-1.MHz石英晶体

频率(MHz)

频率公差(ppm)

负载电容(pF)

工作温度()

尺寸(mm)

40

10

8,9,10,12

-20~+70

-40~+85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

32

10,20,30

8,9,10,12

-20~+70

-40~+85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

27.12

10,20,30

8,10,12,20

-20~+70

-40~+85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

27

10,20,30

8,9,12,20

-20~+70

-40~+85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

26

10,20,30

8,9,10

-20~+70

-40~+85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

24

10,20,30

8,9,10,12,20

-20~+70

-40~+85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

20

10,20,30

9,10,12,20

-20~+70

-40~+85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

16

10,20,30

9,10,12,20

-20~+70

-40~+85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

12

10,20,30

8,10,12,20

-20~+70

-40~+85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

8

20,30

18,20

-20~+70

-40~+85

5.0x3.2

注意:49US49SMT49SLMT系列也是可选的.

E-2.MHz晶体振荡器

频率(MHz)

频率公差(ppm)

电源电压(V)

工作温度()

尺寸(mm)

1,6,8,11.0592,

12,18.432,20,

24,25,26,27,32,

33.333,40,48,

54,66.667,

100,125,150

25,50

1.8,2.5,3.0,3.3,5

-20~+70

-40~+85

SMD

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

5.0x3.2

7.0x5.0

E-3.KHz石英晶体

频率(MHz)

频率公差(ppm)

负载电容(pF)

工作温度()

尺寸(mm)

32.768KHz

10,20

7,9,12.5

-20~+70

-40~+85

SMD

1.6x1.0

2.0x1.2

3.2x1.5

6.9x1.4

8.0x3.8

E-4.KHz晶体振荡器

频率(MHz)

频率公差(ppm)

电源电压(V)

工作温度()

尺寸(mm)

32.768KHz

±5

2.2~5.5

-40~+85

2.0x1.6

2.5x2.0

3.2x2.5

5.0x3.2

7.0x5.0

上表仅列出了通用规格.其他未列出的规格包括-40~+125宽温度范围,请联系金洛鑫电子0755-27837162.如以上的规格都没有你需要的,可以提出详细的要求,我们将提供完善的定制方案,和其他相关服务,如样品申请,技术支持,组装焊接指导等,让广大用户没有后顾之忧!

MCUIOT方案应用晶振的封装参数选型和特殊要求

推荐阅读

    【本文标签】:石英晶振选型 IOT晶体振荡器方案 MCU石英晶体
    【责任编辑】:金洛鑫版权所有:http://www.quartzcrystal.cn转载请注明出处