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KT2520Y40000ECV28TBA京瓷TCXO晶振是如何降低EMI干扰的
KT2520Y40000ECV28TBA京瓷TCXO晶振是如何降低EMI干扰的
EMI是电磁干扰ElectromagneticInterference的缩写简称,电子电力设备最怕的就是电磁干扰,阻碍正常的工作运行,因此许多生产厂家在采购石英晶体振荡器的时候,都要求带有抗EMI的特性要求.并不是每一款振荡器都具有这种功能的,但是温补晶振大多数都可以做到,京瓷KT2520Y40000ECV28TBA晶振是TCXO系列的产品,在设计之初,工程人员就将其设置为可抗EMI.EMI由晶体振荡电路的各个部分产生.通过对基板进行设计,并通过明确EMI产生部分来抑制产生,可以降低EMI等级.
KT2520Y40000ECV28TBA温补晶振本身就具体优良的温度补偿性能,所以京瓷集团的工程师,想将其设计成降低EMI电磁干扰,并不算十分困难的事情.京瓷晶振的TCXO系列,无论是体积,品质,性能还是交期,都让用户满意,下面为大家介绍下京瓷品牌其他温补晶振的产品以及降低EMI干扰的对策方案.
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KT2520K40000DAW18TAS |
KT2520K晶振 |
40MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2016K26000BCW18ZAS |
KT2016晶振 |
26MHz |
(2.00mmx1.60mm) |
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KT2520K26000CCW18ZUS |
KT2520晶振 |
26MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2520K26000DCW28QAS |
KT2520晶振 |
26MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2520F16369ACW18TAG |
KT2520F晶振 |
16.369MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2520F16800ACW28TAK |
KT2520F晶振 |
16.8MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2520F37400ZAW18TBK |
KT2520F晶振 |
37.4MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2520K26000AAW18TAS |
KT2520K晶振 |
26MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2016A26000ACW18TLG |
KT2016A晶振 |
26MHz |
(2.00mmx1.60mm) |
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KT2520F16369ACW28TAK |
KT2520F晶振 |
16.369MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2520F38400DEV30TAK |
KT2520F晶振 |
38.4MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2520F26000ZAW18TKK |
KT2520F晶振 |
26MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT7050B12800KAW33TAD |
KT7050B晶振 |
12.8MHz |
(7.00mmx5.00mm) |
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KT5032F12800KAW33TAA |
KT5032F晶振 |
12.8MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
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KT7050A20000KAW33TAD |
KT7050晶振 |
20MHz |
(7.00mmx5.00mm) |
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KT7050A24576KAW33TAD |
KT7050晶振 |
24.576MHz |
(7.00mmx5.00mm) |
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KT3225F16367ACW30TA0 |
KT3225F晶振 |
16.367MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
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KT3225F16367ACW30TA0 |
KT3225F晶振 |
16.367MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
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KT3225F16369ACW28TA0 |
KT3225F晶振 |
16.369MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
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KT3225F27456ZAW28TA0 |
KT3225F晶振 |
27.456MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
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KT3225F27456ZAW28TA0 |
KT3225F晶振 |
27.456MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
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KT2520F27456ZAW28TBA |
KT2520F晶振 |
27.456MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2520F27456ZAW28TBA |
KT2520F晶振 |
27.456MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2520K26000ZAW18TAS |
KT2520晶振 |
26MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT3225T32768EAW30TAA |
KT3225T晶振 |
32.768kHz |
(3.20mmx2.50mm) |
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KT2520K26000ACW18TAS |
KT2520晶振 |
26MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2520F38400ZAW18TEK |
KT2520F晶振 |
38.4MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT2016A26000ECW18TLG |
KT2016A晶振 |
26MHz |
(2.00mmx1.60mm) |
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KT2016A52000ECW18TEG |
KT2016A晶振 |
52MHz |
(2.00mmx1.60mm) |
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KT3225K26000ZAW25TCS |
KT3225K晶振 |
26MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
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KT1612A26000ECW18TBA |
KT1612A晶振 |
26MHz |
(1.70mmx1.30mm) |
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KT1612A52000ECW18TAA |
KT1612A晶振 |
52MHz |
(1.70mmx1.30mm) |
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KT3225T32768DAW33T |
KT3225T晶振 |
32.768kHz |
(3.20mmx2.50mm) |
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KT2016A20000ACW18TAG |
KT2016A晶振 |
20MHz |
(2.00mmx1.60mm) |
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KT2520Y40000ECV28TBA |
KT2520Y晶振 |
40MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
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KT3225R40000ECV28TBA |
KT3225R晶振 |
40MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
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KT3225R26000ZAW28TMA |
KT3225R晶振 |
26MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
将IC连接至晶体振子或电容器的基板图案变长时,该部分成为天线,EMI电平变高,但是,逆变器的OUT侧的图案会产生很多EMI.如图所示,平行拉长IN和OUT线不是优选的,因为负电阻也会减小.
振荡频率的交流振幅出现在振荡晶体的电极上,但是由于振荡级的IN侧电极通常是接近正弦波的波形,所以EMI电平非常低.它会发出高强度的EMI,其波形接近电波并包含许多谐波.高接地线阻抗会增加EMI电平.通常,电源线为交流接地线.如果电源线的交流阻抗增加,则电源线将成为辐射EMI的天线.输出数据的端口也会产生EMI.
电源:
如果电源输出本身包含噪声,则温补晶体振荡器振荡电路和其他功能电路会受到该噪声的调制,并且这些电路产生的EMI电平会增加.另外,如果电源线的阻抗较高,则在电源线上会出现振荡幅度,并且使用电源线作为天线会辐射EMI.由于使用C-MOS逆变器的皮尔斯晶体振荡电路的IN侧的振荡波是正弦波或接近正弦波的波形,因此从该部分产生的谐波非常小.相比之下,逆变器OUT侧的波形是方波或具有失真的方波,因此它包含许多谐波分量.连接到该部分的电路板图案成为天线,并以EMI的形式辐射到空气中.
(1)从IC内部产生的EMI
在板上的IC下方提供接地层可以减少辐射到IC下部的EMI.
(2)基板图案产生的EMI
如右图所示,设计该板时,将IC与晶体单元和电容器连接的板图样不会成为辐射EMI的天线,因此图样长度应尽可能短.用接地图形屏蔽振荡部分信号图形的外围也是有效的,但是,如果这些图形太靠近在一起,则负电阻会减小,因此在设计电路板图形时必须小心.同样,重要的是设计接地图案,使其末端如箭头所示敞开,并且不产生回路.
在TCXO振荡器的电路板图形中,连接到反相器OUT侧的线会产生很多EMI,因此设计此图形的长度尽可能短很重要.另外,请参阅后述的“印刷电路板设计注意事项”,因为在大多数情况下,逆变器的IN侧的波形为正弦波,所以产生的EMI较低,电路板的图案必须比OUT侧长.由于EMI的增加量比延长OUT侧图样时要小得多.
晶体单元产生的EMI:
带金属盖CX-2520SB,CX-3225SB,KSX-23,CX-4025S,CX-96F,KSX-35,KSX-36,CX-91F的SMD晶体单元带有免费端子因为它在EMI级别内连接到金属帽,所以可以通过将空端子接地将其降低到从晶体单元感应到电极帽并辐射到空气中的EMI级别.罐型(铅型)晶体单元出现时,在整个盖中感应出振荡幅度,并作为EMI辐射到空气中.为了降低从晶体单元辐射到空气中的电磁干扰水平,请使用配有金属护套的CX-49L型将罐子接地.
接地线产生的EMI:
如果将电容器的接地图案拉长,则该部分将成为天线并辐射EMI,因此,必须在设计电路板时将其连接到具有最短图案长度的接地线上.
电力线产生的电磁干扰:
连接几种具有不同自谐振频率的旁路电容器是有效的,这样电源线的阻抗不会在一个宽频带内增加.通常,CM,CT或CF系列的高介电陶瓷电容器作为旁路电容器连接在晶体振荡电路IC的电源端子附近,且图案长度最短,如右图所示.在电源线较长的板上,将这些电容器作为一组在多个位置连接非常有效.如果一个LSI需要几种类型的电源电压,则每个LSI都需要一个旁路电容器.对于低频噪声,请使用容量为数μF以上的电解电容器,但是,如果将大容量的电容器连接至功率调节器的输出端子,则调节器IC本身可能会发生振荡.是必需的.同样,使用KNH系列EMI滤波器KNH21104或KNH21473抑制从电源线辐射的EMI是有效的.
输出端口产生EMI:
根据数据的形式,可以使用线路滤波器.如果无法实现,则可以使用上述(2)中所述的方法覆盖端口的外围和数据传输图案,并在其另一侧覆盖表面接地图案.是的用IC手册中规定的适当阻抗端接未使用的端口等.
from电源产生的EMI:
为了减少从直流电源产生电路辐射的电磁干扰,用金属盖屏蔽电源电路是有效的.
选择电路配置和降低EMI的常数(防止谐波产生的措施):
EMI的大小和水平取决于石英晶体振荡器振动波形的形状,但是当振动波形为正弦波时,EMI会降至最低.在C-MOS反相器晶体振荡电路中,反相器IN侧的振动波形接近正弦波,因此从该引脚产生的EMI很小.但是,OUT端包含很多谐波,因为它显示为方波,而IN端的正弦波被反相并放大.通过以下方法,可以通过减小OUT侧振荡波形的失真来减少EMI.
(1)使用Rd和Rx减少充入C2的电荷量.
通过使用这些电阻,振荡电路的负电阻将减小,振荡启动时间将改变,因此通过检查电路来选择合适的电阻值并满足设计目标值.您需要确保自己这样做.
(2)与C1相比,C2使用极小的值.
例如,如果减小OUT侧的电容值,例如C1=22pF且C2=5pF,则OUT侧的波形将从方波变为正弦波,因此EMI电平会降低.但是,如果OUT侧电容器的电容值太小,则振幅电平会降低,因此有必要确认OUT侧的振幅电平足以驱动后续电路.
KT2520Y40000ECV28TBA京瓷TCXO晶振是如何降低EMI干扰的
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