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XO振荡器511ABA100M000BAGR提供了优越的电源噪声抑制

返回列表 来源:金洛鑫 浏览:- 发布日期:2023-06-03 16:01:01【
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Silicon晶振Si511 XO利用天空解决方案的先进DSPLL技术,六脚贴片晶振提供从100kHz到250MHz的任何频率。与传统的XO不同,每个输出频率需要不同的晶体,Si511使用一个固定晶体和天空解决方案的专有DSPLL合成器来产生这个范围内的任何频率。这种基于集成电路的方法允许晶体谐振器提供增强的可靠性,改进的机械鲁棒性和优异的稳定性。此外,该解决方案提供了优越的电源噪声抑制,简化了在噪声环境下的低抖动时钟产生。水晶ESR和DLD分别进行了生产测试,以保证性能和提高可靠性。石英振荡器Si511可在工厂中进行配置,适合各种用户规格,包括频率、电源电压、输出格式、输出启用极性和稳定性。特定的配置是在装运时由工厂编程的,消除了与定制频率振荡器相关的长交货时间和非重复的工程费用。XO振荡器511ABA100M000BAGR提供了优越的电源噪声抑制

Si510,Si511-2

XO振荡器511ABA100M000BAGR提供了优越的电源噪声抑制,Si511支持多种选项,包括频率、稳定性、输出格式和VDD。特定的设备配置在装运时被编程到Si511中。可以使用下面的零件号配置图进行配置。Skyworks解决方案提供了一个基于web浏览器的部件号配置实用程序,以简化这个过程。

原厂代码 贴片晶振厂家 型号 频率 电压 频率稳定度 包装/封装
511ABA156M250AAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA25M0000BAG Silicon晶振 Si511 25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA156M250AAGR Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA155M520AAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA106M250BAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA000149BAG Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA74M2500AAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA000149AAG Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA000110BAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA148M500BAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA155M520BAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA148M500AAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA200M000BAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA212M500AAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA125M000BAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA74M2500BAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA106M250AAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA212M500BAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA100M000BAGR 有源晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA125M000BAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA106M250BAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA000149BAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA74M2500BAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA100M000AAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA125M000AAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA106M250AAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA000149AAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA74M2500AAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA156M250BAGR Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA155M520BAGR Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA000110BAGR Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA148M500BAGR Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA155M520AAGR Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA000110AAGR Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA148M500AAGR Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA25M0000BAGR Silicon晶振 Si511 25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA200M000BAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA212M500BAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA200M000AAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA212M500AAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
511ABA25M0000AAG Silicon晶振 Si511 25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
XO振荡器511ABA100M000BAGR提供了优越的电源噪声抑制,Si511系列特征:支持任何频率从100kHz到250MHz,石英晶体振荡器低抖动操作,2到4周交货时间,完全稳定性包括10年老化全面的生产测试覆盖范围包括晶体ESR和DLD,电源噪声滤波器的片上LDO调节器,工作电压:3.3V,2.5,或1.8V操作,差分晶振(LVPECL,LVDS,HCSL)或CMOS输出选项,可选集成1:2 CMOS风扇缓冲,转速抑制OE和电源,行业标准7.0x5.0mm,5.0x3.2mm,和3.2x2.5mm包装,无铅,RoHS兼容,工作温度:–40到85℃操作

应用于:SONET/SDH/OTN,千兆以太网,光纤通道/SAS/SATA,PCI快递,3 G-SDI/HD-SDI/SDI,电信,交换机/路由器,FPGA/ASIC时钟生成

Si510,Si511