车规级晶体4150AT专用于汽车应用的微晶产品
车规级晶体4150AT专用于汽车应用的微晶产品
Micron推出了业界首款四端口汽车级固态硬盘,可与多达四个SOC接口,用于sdv中的集中式架构。
Micron微晶晶振公司目前正在对其汽车级产品进行采样4150AT固态硬盘声称是业界首款能够与多达四个片上系统(SOC)接口的四端口产品,可在软件定义的车辆(sdv)中集中存储。主要特性包括单根输入/输出虚拟化(SR-IOV)、PCIe第4代接口和加固汽车设计。
到目前为止,固态硬盘解决方案尚未针对集中式系统架构效率的提高进行优化,而是针对每个车辆功能在本地实施,通常需要一个PCIe开关将一个驱动器连接到多个SOC。相比之下,4150AT固态硬盘的存储能力减少了布线,无需为系统或SOC提供接口PCIe交换解决方案。结果是提高了可靠性,并且据Micron称,节省了大量成本。此外,石英晶振,4150AT固态硬盘独特地提供了目标功能安全ASIL-B能力和ASPICE级认证。
4150AT采用176层TLC NAND构建,可实现企业级性能和特定应用功能,满足了行业对集中式架构的需求。它还为车内检测问题提供了数据中心级安全功能和强大的自检功能。
4150AT固态硬盘可为消费类汽车提供企业级速度,对于4千字节的传输,随机读写速度分别超过每秒60万次I/O操作(IOPS)和10万次IOPS。高性能使驱动器能够同时管理来自多个SOC的数据流,从而更好地进行多任务处理,以处理从高级驾驶员辅助系统(ADAS)到车载信息娱乐和人工智能座舱体验的各种系统。
Micron晶振厂家4150AT汽车固态硬盘采用176L TLC NAND构建,可提供企业级性能,具有寿命长、可靠性高、质量好、坚固耐用和特定应用功能等特点。汽车认证,ASIL B级和ASPICE级。
固态硬盘的可定制功能是为应对下一代汽车架构的挑战而量身定制的。其中包括多端口功能、SR-IOV虚拟化功能(适用于多达64台虚拟机的繁重多主机工作负载)以及独特的虚拟化技术(可在硬件中将每台虚拟机的数据相互隔离)带来的更高的安全性。
4150AT固态硬盘还提供可定制的续航模式。它采用TLC NAND构建,但可以配置为支持单层单元(SLC)和高耐久性(HE-SLC)数据耐久性组,以最好地满足独特的数据要求。
Micron晶振厂家目前正在向全球汽车客户提供4150AT固态硬盘样品。固态硬盘采用球栅阵列封装,有助于承受汽车环境中的冲击和振动。该驱动器的容量高达1.8,可为下一代汽车高效存储人工智能算法、大型语言模型、高级信息娱乐和遥测数据。
Micron的虚拟化多端口4150AT固态硬盘为日益复杂的软件定义车辆提供了一种新的集中决策模式
德国纽伦堡2024年4月9日电(环球新闻网)嵌入式世界-- Micron Technology,Inc .(Nasdaq:MU)今天宣布正在对汽车级Micron 4150AT固态硬盘进行采样,这是世界上首款四端口固态硬盘。1能够与多达四个片上系统(SOC)接口,以集中存储软件定义的智能汽车。Micron贴片晶振4150AT固态硬盘结合了市场领先的功能,如单根输入/输出虚拟化(SR-IOV)、PCIe®第四代接口和加固汽车设计。凭借这些特性,汽车级固态硬盘为生态系统提供了数据中心级的灵活性和强大功能。
Micron嵌入式产品和系统副总裁Michael Basca表示:“随着存储需求竞相跟上以人工智能和高级算法为特色的丰富车载体验,以实现更高级别的自动安全,这个时代需要一种新的汽车存储模式来与之匹配。“在我们与重新定义下一代汽车架构的创新者合作的基础上,Micron重新构想了存储,推出了世界上首款四端口固态硬盘Micron 4150AT,为推出即将到来的变革性技术提供了行业灵活性和动力。”
Micron的4150AT固态硬盘为消费类汽车带来了企业级的速度,对于4千字节的传输,随机读写速度分别超过每秒60万次输入/输出操作(IOPS)和10万次IOPS。2这种高性能使驱动器能够同时有效管理来自多个SOC的数据流,使其成为必须越来越多任务处理各种系统的车辆的理想解决方案,从高级驾驶员辅助系统(ADAS)到车载信息娱乐系统(IVI)再到支持人工智能的座舱体验。
Micron构建其4150AT固态硬盘以提供强大的可定制功能,这些功能受数据中心固态硬盘设计的启发,但针对下一代汽车架构的独特挑战进行了定制,包括:
●多端口功能:第一款拥有四个端口的终端市场固态硬盘,3Micron 4150AT固态硬盘最多可连接四个SOC,带来无与伦比的灵活性,并创建单一的真实来源。例如,汽车OEM可以将一个端口连接到ADAS系统,将另一个端口连接到IVI系统,从而允许每个端口存储私有数据,同时访问一组通用的关键地图数据,并降低每千兆字节的存储成本。这提高了性能并消除了瓶颈,因为两者可以同时访问共享数据,并减少了保留数据冗余副本的需求。耐高温晶振4150AT的四端口还减少了对额外存储设备的需求。由于现有解决方案通常只能单独连接到一个SoC,因此它们倾向于放置在每个汽车系统的本地,从而导致未使用的容量;或者要求原始设备制造商使用昂贵的汽车级PCIe开关将驱动器连接到多个SOC。通过为多个系统集中存储,固态硬盘在简化架构的同时显著提高了效率。
●虚拟化:4150AT的SR-IOV功能可为多达64台虚拟机的繁重多主机工作负载提供高性能。独特的虚拟化为每个SoC及其虚拟机提供了一个用于本地处理的隔离存储区域,同时共享一个存储池,从而最大限度地提高了效率。这种对多主机工作负载的支持至关重要,因为当今的汽车SOC越来越多地使用虚拟机跨不同功能进行多任务处理,从自动驾驶到车对车通信。SR-IOV功能通过将输入/输出(I/o)从虚拟机直接定向到SSD硬件提供了优势,这与典型的半虚拟化形成了鲜明对比,在典型的半虚拟化中,I/o通过软件虚拟机管理程序路由到SSD,从而产生了延迟。通过绕过软件层,该驱动器将随机读取性能提高了三倍。4
●增强安全性:由于其独特的虚拟化技术,4150AT硬盘还可以提高汽车制造商的安全性。基于SR-IOV虚拟化,每个虚拟机的数据都与硬件中的其他虚拟机隔离开来,以减少数据或代码泄漏,同时减少一个虚拟机中的黑客攻击企图危及另一个虚拟机的安全,从而维护关键数据的隐私和安全。
●可定制的续航模式:Micron贴片晶振4150AT固态硬盘采用三层单元(TLC)NAND,但也可以配置为支持单层单元(SLC)和高耐久性(HE-SLC)数据耐久性组,这两种组的耐久性分别是TLC的20倍和50倍,以最好地满足独特的数据要求。例如,何-SLC耐力组可用于重写入用例,如连续黑匣子数据记录,其中汽车必须不断重新记录来自传感器、摄像头和激光雷达的关键数据。在数据每隔几分钟就被编程和擦除的情况下,HE-SLC模式提供了所需的耐用性,同时消除了对DRAM等更昂贵的易失性存储器的需求。
●有计划的对于汽车行业的严格要求:Micron 4150AT固态硬盘具有汽车安全完整性等级B(ASIL-B)功能,可支持安全系统要求,并采用球栅阵列封装,有助于承受汽车恶劣环境下的典型冲击和振动。与Micron汽车级产品组合中的所有解决方案一样,该驱动器的设计能够承受汽车中的扩展温度范围。
Micron目前正在向全球汽车客户提供4150AT固态硬盘的样品。该驱动器的容量高达1.8,可为下一代汽车高效存储人工智能算法、大型语言模型、高级信息娱乐和遥测数据。该公司将于4月9日至11日在德国纽伦堡的嵌入式世界展上5-109展位展示固态硬盘的演示。
品牌 | 制造商零件编号 | 描述 |
Micro晶振 | OV-7604-C7-32.768k-20PPM-TB-QA | 32.768 kHz +/-20 PPM -40/+125C AEC-Q200 |
Micro晶振 | OV-7604-C7-32.768kHz-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | MS1V-T1K-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC-Au | 32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CM7V-T1A-32.768kHz-7pF-100PPM-TA-QC | 32.768 kHz 7.0 pF +/-100 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CM8V-T1A-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+85C |
进口晶振 | MS1V-T1K-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC-Au | 32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CC4V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CC5V-T1A-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | OV-0100-C7-100.000kHz-20PPM-TA-QC | 100.0 kHz +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | OM-0100-C8-100.00kHz-20PPM-TA-QC | 100.0 kHz +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CM7V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CM7V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CC7V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | MS3V-T1R-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC-Au | 32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | MS3V-T1R-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC-Au | 32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CC7V-T1A-32.768kHz-7pF-100PPM-TA-QC | 32.768 kHz 7.0 pF +/-100 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CC7V-T1A-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CM8V-T1A-32.768k-12.5pF-20PPM-TB-QA | 32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM AEC-Q200 |
Micro晶振 | CM8V-T1A-32.768k-9pF-20PPM-TB-QA | 32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+125C |
Micro晶振 | MS1V-T1K-32.768kHz-10pF-20PPM-TA-QC-Au | 32.768 kHz 10.0 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CC5V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CM8V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CM7V-T1A-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CM8V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | OM-7605-C8-32.768kHz-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | OM-7604-C7-32.768kHz-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz +/-20 PPM I2C -40/+85C |
Micro晶振 | MS3V-T1R-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC-Au | 32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CM7V-T1A-Low-ESR-32.768kHz-9pF-20-TA-QC | 32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM LOW ESR |
Micro晶振 | CC7V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC | 32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C |
Micro晶振 | CM7VT1A-LowESR-32.768kHz-12.5pF-20-TA-QC | 32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM LOW ESR |
Micro晶振 | CM7V-T1A-Low-ESR-32.768kHz-7pF-20-TA-QC | 32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM LOW ESR |