回顾KDS集团推出的一款1008mm超薄贴片晶体产品信息
回顾KDS集团推出的一款1008mm超薄贴片晶体产品信息
2018年日本大真空株式会社,一般习惯用简称KDS晶振来称呼,在这一年他们推出了四款款非常小、轻、薄型的贴片晶振,厚度只有0.13mm和0.23mm,长和宽分别是1.0×0.8mm和0.8×0.6mm.到目前为止,仍然是业界最小体积的系列,这款晶振的型号分别是DX1008J,DX0806J,DS1008J和DB1008J.其中DX开头的是普通的石英晶体,DS开头的SPXO振荡器,DB开头的是TCXO晶振,不同的分类可满足广大生产厂家的需求.
大真空株式会社(长谷川社长)已将“Arch.3G”系列晶体计时装置商业化,该装置通过与常规装置不同的结构实现了压倒性的减薄.该系列使用了一种新结构,该结构不同于使用导电胶,陶瓷封装和盖材料的常规产品,以实现紧凑,薄型和高可靠性.Arch.3G系列在石英晶体振荡器和振荡器方面实现了世界上最薄的厚度,其厚度不到传统结构的一半.这种薄度使得可以提出有助于节省空间的新价值,例如将这种产品堆叠在硅片上并将其嵌入模制的SiP(系统级封装)模块或基板中.
该系列可作为产品样品提供,已于2018年5月开始量产.
DS1008J晶振基本信息表:
系列名称
Arch.3G
采用
内置SiP/IC,智能手机,IoT设备,可穿戴设备,汽车应用
生产基地
鸟取办事处/德岛办事处
谐振器
振荡器
SPXO
TCXO
产品名称
DX1008J
DX0806J
DS1008J
DB1008J
外形尺寸
1.0×0.8mm
0.8×0.6mm
1.0×0.8mm
1.0×0.8mm
厚度(典型值)
0.13mm
0.13mm
0.23mm
0.23mm
预定量产
2018年5月
未定
2018年5月
2018年5月
对于常规结构,随着产品变小,当将晶体元件安装在包装中时,趋于更难以确保诸如导电粘合剂的施加精度和安装位置的裕度.为了解决这个问题,有必要从根本上审查产品和工艺设计.
该系列使用了我们独立开发的粘合技术FineSeal技术来创建WLP(晶圆级封装),该晶圆以石英晶体为基础材料粘合三层晶圆,以实现与传统结构相同的气密性.它发生了.利用这种结构,可以在不使用导电粘合剂的情况下将保持部和振动部一体化,并且在解决上述工艺问题的同时,还导致耐冲击性的显着提高.另外,通过在真空气氛中进行晶片清洁和键合,大大降低了质量风险.借助这些,我们还将为要求更高可靠性的汽车应用(例如自动驾驶)做出贡献.
另外,由于该工艺,AT切割的贴片晶振器件在质量和生产率上存在问题,因为晶体元件随着频率增加而变薄.另一方面,在Arch.3G系列中,采用WLP可以简化生产过程中的处理并解决这些问题.展望未来,我们将为WiFi市场等信息网络相关产品推荐该产品,该产品预计将支持高达200MHz左右的高频,并且由于更高的速度和更大的容量以及更高的数据中心需求而需要更高的频率.
此外,通过实现压倒性的超薄设计,有望在新的晶体器件安装场景中提供价值,例如被内置到有望进一步增长的SiP模块和IC封装中.另外,由于可以灵活地支持封装端子设计,因此它是可以形成各种外部端子(例如与引线键合兼容的形状)的产品.
<与常规产品的比较>
石英晶体谐振器比较图
石英晶体振荡器比较图
<产品规格>
项目/型号 |
DS1008J |
外形尺寸 |
1.0×0.8×0.23mmTyp. |
输出频率 |
1~100MHz |
电源电压 |
1.6~3.6V |
消费电流 |
1.3mA(Vcc=1.8V,48MHz),2.0mA(Vcc=1.8V,96MHz) |
频率公差 |
±20×10―6,±30×10―6,±50×10―6,±100×10―6 |
工作温度范围 |
-40~+85℃ |
输出水平 |
CMOS |
储存温度范围 |
-40~+85℃ |
包装单位 |
3000pcs./reel(∅180) |
*其他规格请联系我们.
<外观>
<术语解释>
[Arch.3G]
这是第三代晶体器件的商标,该器件已经革新了传统产品,并被称为"ArcSleezy".目前正在申请商标注册.
[SiP]
"包装中的系统"的缩写.在一个封装中包含半导体芯片和焊接部件的系统.
[SPXO]
简单封装晶体振荡器的缩写.没有温度控制或温度补偿的晶体振荡器.
[TCXO]
温补晶体振荡器的缩写.晶体振荡器带有温度补偿电路,可减少由于环境温度变化而引起的频率波动.
[WLP]
晶圆级封装的缩写.在晶圆状态下执行封装.
[AT切]
频率变化量随温度变化的切削方向呈三次曲线.AT切割晶体片可在很宽的温度范围内提供稳定的频率,并且最常用于MHz频段的晶体器件中.
[基本面波]
一种以给定振动模式的最低阶(一阶)运行的类型.
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