AEL晶振,贴片晶振,125302晶振,进口无源晶振
频率:24~80MHZ
尺寸:1.6*1.2mm
AEL在英国,日本,台湾,南韩等地区使用精心挑选的石英晶体谐振器生产基地网络。韩国中国和美国使我们能够为这类组件提供真正的全球采购。这降低了这种高需求产品类型供应中断的风险。我们通过实施全面的英国库存政策进一步提高可用性。我们AEL晶体有限公司已借此机会为您提供最新的信息供您参考。
我们与所有供应商建立了长期的合作关系,并拥有悠久的高品质和无故障供应历史。我们的一些制造合作伙伴已经为AEL生产了超过10年的无源晶振产品。这使我们能够自信地提供一个批次的可靠性,质量,一致性和可重复性的可靠记录.AEL晶体有限公司是ISO 9002-2008认可的供应商,目前管理着广泛的国际认可的蓝筹客户。1.6*1.2小体积贴片晶振,金属4P石英谐振器,125302晶振
AEL晶振,贴片晶振,125302晶振,进口无源晶振,小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。1.6*1.2小体积贴片晶振,金属4P石英谐振器,125302晶振
AEL晶振 |
单位 |
125302晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
24~80MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-20°C~+70°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
50μW Max. |
推荐:100μW |
频率公差 |
f_— l |
±30× 10-6 |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30× 10-6/-30°C~+85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8~16PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±2× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 (请参阅芯片组的规格)Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。石英晶体的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。AEL晶振,贴片晶振,125302晶振,进口无源晶振
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是无源石英晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:
线路连接的电阻(R)与晶体串联(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。(3)振荡期间测量R的值。(4)你将能够获得负电阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值。如果小型贴片晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL)。采用具有较低电阻(RR)的晶振。使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。1.6*1.2小体积贴片晶振,金属4P石英谐振器,125302晶振
振荡补偿:除非在小型1612SMD晶体振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。AEL晶振,贴片晶振,125302晶振,进口无源晶振
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量1.6*1.2小型无源晶振频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).
晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在石英晶振1612基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制金属面贴片晶振电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。1.6*1.2小体积贴片晶振,金属4P石英谐振器,125302晶振
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