ACT晶振,3*8晶振,OJ00003GIHD-PF-32.768kHz晶振
频率:32.768KHZ
尺寸:3*8mm
ACT晶振,3*8晶振,OJ00003GIHD-PF-32.768kHz晶振,ACT与Esterline研究和设计(ERD)的合作使我们能够突破高精度振荡器技术的界限。这些突破性产品为石英晶体,TCXO和OCXO设立了新标准,创造了当今市场上性能最高,最精确的振荡器技术。
ACT晶振,3*8晶振,OJ00003GIHD-PF-32.768kHz晶振,无论您需要新技术,如M-SAC增强型振荡器,还是简单的基本SMD晶体,我们的工程团队都将帮助您为您的应用选择合适的解决方案,并在整个设计周期和生产过程中为您提供支持。凭借30多年的频率控制专业知识,我们很高兴能够应对您的设计挑战和产品需求。
ACT晶振,3*8晶振,OJ00003GIHD-PF-32.768kHz晶振,进口插件晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使SMD晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。
Parameters | Specification | Remarks | |
Frequency | F_nom | 32.768kHz | |
Frequency tolerance | F_tol | ±10ppm, ±20ppm, ±50ppm | at 25°C ± 3°C |
Operating temperature range | T_use | ‐10°C ~ +60°C, ‐20°C ~ +70°C,‐40°C ~ +85°C | |
Storage temperature | T_stg | ‐40°C ~ +85°C | |
Temperature coefficient | K | ‐0.035±0.0086ppm/°C² | |
Turnover temperature | Ti | 25°C ± 5°C | |
Load capacitance | CL | 6pF ~ 12.5pF | |
Equivalent series resistance | ESR | 30K? max | |
Motional capacitance | C1 | 3.0fF typical | |
Shunt capacitance | C0 | 1.8pF typical | |
Quality factor | Q | 60,000 | |
Drive level | DL | 1.0μW max | |
Frequency aging | F_age | ±5.0ppm max | First year |
Insulation resistance | IR | 500MΩ min | At DC100V ± 15V |
抗冲击
贴片晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损害,因此应避免照射。
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致SMD无源晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电,ACT晶振,3*8晶振,OJ00003GIHD-PF-32.768kHz晶振.
过高的静电可能会损坏石英晶体谐振器,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
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